October 8, 2012

HIGHLY TRANSPARENT NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICES FROM SILICON OXIDE AND GRAPHENE


 "Highly transparent nonvolatile resistive memory devices from silicon oxide and graphene". J. Yao, J. Lin, Y. Dai, G. Ruan, Z. Yan, L. Li, L. Zhong, D. Natelson, J. M. Tour. NATURE COMMUNICATIONS 3, 1101 (2012) DOI: 10.1038/ncomms2110

Transparent electronic memory would be useful in integrated transparent electronics. However, achieving such transparency produces limits in material composition, and hence, hinders processing and device performance. Here we present a route to fabricate highly transparent memory using SiOx as the active material and indium tin oxide or graphene as the electrodes. The two-terminal, nonvolatile resistive memory can also be configured in crossbar arrays on glass or flexible transparent platforms. The filamentary conduction in silicon channels generated in situ in the SiOx maintains the current level as the device size decreases, underscoring their potential for high-density memory applications, and as they are two-terminal based, transitions to three-dimensional memory packages are conceivable. As glass is becoming one of the mainstays of building construction materials, and conductive displays are essential in modern handheld devices, to have increased functionality in form-fitting packages is advantageous.

Una memoria electrónica transparene puede ser útil en elementos electrónicos integrados transparentes. Sin embargo, tal transparencia está limitada por la composición del material, y así, limita el procesamiento y el desempeño del dispositivo. Aquí se presenta una ruta para fabricar una memoria altamente transparente, usando SiOx como material activo y óxido de indio estaño o grafeno como electrodos. La memoria resistiva no volátil, de dos terminales, puede configurarse en arreglos entrecruzados sobre vidrio o sobre plataformas transparentes flexibles. La conducción en filamentos de canales de silicio, generados in situ en el SiOx, mantiene el nivel de corriente conforme el tamaño del dispositivo disminuye, resaltando su potencial aplicación en memorias de alta densidad, y como estos dispositivos están compuestos de dos terminales, se puede pensar en su transición a paquetes de memoria tridimensionales. Como el vidrio se está convirtiendo en uno de los principales materiales de construcción, y como las pantallas conductivas son esenciales en los modernos dispositivos portátiles, resulta ventajoso tener una funcionalidad incrementada en paquetes que se ajustan a la forma.

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