FLEXIBLE CONTROL OF BLOCK COPOLYMER DIRECTED SELF-ASSEMBLY USING SMALL, TOPOGRAPHICAL TEMPLATES: POTENTIAL LITHOGRAPHY SOLUTION FOR INTEGRATED CIRCUIT CONTACT HOLE PATTERNING

"Flexible Control of Block Copolymer Directed Self-Assembly using Small, Topographical Templates: Potential Lithography Solution for Integrated Circuit Contact Hole Patterning". H. Yi, X. -Y. Bao, J. Zhang, C. Bencher, L.-W. Chang, X. Chen, R. Tiberio, J. Conway, H. Dai, Y. Chen, S. Mitra, H. -S. P. Wong. ADVANCED MATERIALS. In press. DOI: 10.1002/adma.201200265

Block copolymer directed self-assembly (DSA) using small guiding templates for contact hole patterning in integrated circuits is reported. Flexible and precise DSA control of 25 nm contact holes guided by 66 nm templates for industry-standard 22 nm static random access memory cells is experimentally demonstrated. For 22 nm random logic circuits a DSA-aware design methodology is developed and the contact holes are achieved with a critical dimension of 15 nm and overylay accuracy of 1 nm. 

Se reporta la auto-organización dirigida (DSA) de copolímeros de bloque a partir del uso de pequeñas plantillas de guía para la formación de patrones de huecos de contacto en circuitos integrados. Se demuestra experimentalmente el control flexible y preciso de la DSA para la elaboración de huecos de contacto de 25 nm, guiados por plantillas de 66 nm, para las celdas de memorias de acceso aleatorio estáticas de 22 nm, que son estándar en la industria. Para la elaboración de circuitos lógicos aleatorios de 22 nm se desarrolló un diseño metodológico que considera la DSA y los huecos de contacto se obtuvieron con una dimensión crítica de 15 nm y una precisión de revestimiento de 1 nm.

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201200265/abstract